ข้อกำหนดด้านความบริสุทธิ์:เป้าหมายไนโอเบียมถูกใช้ในสนามเซมิคอนดักเตอร์ความบริสุทธิ์จะต้องมากกว่าหรือเท่ากับ 99.99% (4N5) และในเขตข้อมูล superconducting มากกว่าหรือเท่ากับ 99.999% (5N) และเนื้อหาของสิ่งสกปรก (เช่น Fe, O, N) จะต้องถูกควบคุมอย่างเข้มงวด
การควบคุมขนาดเกรน: ปรับโครงสร้างเกรนให้เหมาะสมผ่านการแข็งตัวของทิศทางหรือเทคโนโลยีการกดแบบกดไอโซสเตอร์ (HIP) ที่ร้อนเพื่อลดการปนเปื้อนของอนุภาคในระหว่างการสปัตเตอร์
รายละเอียดผลิตภัณฑ์ของผลิตภัณฑ์ Niobium Purity Purity Niobium
เป้าหมายไนโอเบียมที่มีความบริสุทธิ์สูง
เป้าหมายไนโอเบียม