มีเทคนิคการปรับเปลี่ยนพื้นผิวสำหรับเป้าหมายทังสเตนหรือไม่?

Jun 05, 2025

ฝากข้อความ

เอกสารผลิตภัณฑ์ PDF ของ Zhenan Tungsten Target Product คลิกเพื่อดาวน์โหลด

 

มีเทคนิคการปรับเปลี่ยนพื้นผิวสำหรับเป้าหมายทังสเตนหรือไม่?

ใช่มีเทคนิคการปรับเปลี่ยนพื้นผิวหลายอย่างสำหรับเป้าหมายทังสเตน เทคนิคหนึ่งคือการสะสมการเคลือบพลังงานพื้นผิวต่ำบนพื้นผิวของเป้าหมายทังสเตน สิ่งนี้สามารถทำได้ผ่านวิธีการต่าง ๆ เช่นการสะสมไอสารเคมีที่เพิ่มขึ้นในพลาสมา (PECVD) หรือการสะสมไอทางกายภาพ (PVD)
การเคลือบพลังงานพื้นผิวต่ำสามารถลดพลังงานพื้นผิวของเป้าหมายทังสเตนซึ่งสามารถช่วยลดการยึดเกาะของวัสดุและป้องกันการสะสมของวัสดุในระหว่างการประมวลผลพลาสมา อีกเทคนิคหนึ่งคือการทำให้พื้นผิวของเป้าหมายทังสเตนซึ่งสามารถทำได้ผ่านวิธีการต่าง ๆ เช่นการระเหยด้วยเลเซอร์หรือการยิง
Texturizing สามารถสร้างพื้นผิวขรุขระที่ช่วยเพิ่มความสามารถในการเปียกของพื้นผิวโดยการลดพื้นที่สัมผัสระหว่างพื้นผิวเป้าหมายและวัสดุซึ่งจะช่วยลดการยึดเกาะของวัสดุ เทคนิคการปรับเปลี่ยนพื้นผิวเหล่านี้สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพและอายุการใช้งานของเป้าหมายทังสเตนในเทคโนโลยีการประมวลผลวัสดุพลาสมา

  • High Purity Tungsten Sputtering Target company
    การผลิตเป้าหมายแบบสปัตเตอร์
  • High Purity Tungsten Sputtering Target factory
    การผลิตเป้าหมายทังสเตนสปัตเตอร์
  • High Purity Tungsten Sputtering Target manufacture
    ความบริสุทธิ์สูง W บริษัท เป้าหมายสปัตเตอร์
  • High Purity w Sputtering Target company
    บริษัท เป้าหมาย Tungsten ที่มีความบริสุทธิ์สูง

 

ตารางพารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์เป้าหมายทังสเตนคุณภาพสูง

ระดับ W1 W2
เนื้อหา มากกว่าหรือเท่ากับ 99.5%
มาตรฐานผู้บริหาร gb \/ t 3875-03
ความอดทน ความหนา: มากกว่าหรือเท่ากับ± 0. 05
ขนาดเกรน 200-300 ตาข่าย
พื้นผิว 1) การตัดลวด 2) พื้นผิวขัดเงา

 

หากคุณมีคำถามใด ๆ คุณสามารถคลิกที่แถบด้านข้างหรือฝ่ายบริการลูกค้าออนไลน์ที่มุมล่างขวาเพื่อติดต่อเราเพื่อรับคำตอบสำหรับคำถามที่เกี่ยวข้อง ~